東芝、19nm第二世代プロセスで小型・高速化を実現したNAND型フラッシュメモリの量産を開始
東芝、19nm第二世代プロセスで小型・高速化を実現したNAND型フラッシュメモリの量産を開始
株式会社東芝は21日、最先端の19nm(ナノメートル)第二世代プロセスを用いた、2bit/セルの64ギガビット(8ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリの開発に成功し、今月から量産を開始すると発表した。
同発表によると、19nm第二世代プロセスの採用と周辺回路の工夫で、2bit/セルの64ギガビットのNAND型フラッシュメモリでは、世界最小の94平方ミリメートルのチップサイズを達成。また、書き込み速度は、2bit/セル製品での世界最速クラス25MB/秒を実現しているという。
量産化されれば、メモリカード、スマートフォン、タブレット、薄型パソコンなどに搭載されるという。
なお、同社では、3bit/セルの製品も開発しており、こちらは2013年度第2四半期に量産を開始する予定としている。