東芝、15nmプロセスのNAND型フラッシュメモリを開発
東芝、15nmプロセスのNAND型フラッシュメモリを開発
株式会社東芝は、世界初の15nmプロセスを用いた2ビット/セルの128ギガビット(16ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。
同製品は、世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに、周辺回路の工夫によって世界最小クラスのチップサイズを実現した。19nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同じで、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さとなる533メガビット/秒を実現した。
同社は同プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発中のNANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットなどに展開する予定だ。また、SSDの開発も進めて、ノートPCなどへの搭載を図る。今後も積極的に最先端プロセスに切り替えることにより、生産性を高めて競争力強化につなげるとコメントしている。