シャープと半導体エネルギー研究所、IGZOの新技術を共同開発
シャープと半導体エネルギー研究所、IGZOの新技術を共同開発
シャープ株式会社と株式会社半導体エネルギー研究所は、高い結晶性を有する酸化物半導体（IGZO）の新技術を共同開発したと発表した。
今回開発したIGZOは、In（インジウム）とGa（ガリウム）、Zn（亜鉛）で構成される酸化物半導体に結晶性を持たせたもので、この開発において新たに見出した結晶構造を、両社は「CAAC（C-Axis Aligned Crystal）」と名付けた。同技術により、従来のIGZOに比べてより一層の薄膜トランジスタの小型化・高性能化を実現している。
試作したディスプレイは、液晶ディスプレイでは4.9型で720×1280ピクセル（302ppi）、6.1型で2560×1600ピクセル（498ppi）、有機ELディスプレイでは13.5型でQFHD（3840×2160ピクセル、326ppi）、3.4型で540×960ピクセル（326ppi）。
CAAC-IGZOの平面TEM写真（左）と断面TEM写真（右）
