東芝、48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリを製品化
東芝、48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリを製品化
3次元フラッシュメモリ「BiCS」
株式会社東芝は、48層積層プロセスを採用した3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発し、サンプル出荷を開始した。SSDを中心に市場ニーズに合わせて展開予定。2016年前半竣工予定の同社四日市工場新・第2製造棟でも生産が行われる予定となっている。
本製品は、48層積層プロセスを用いた128ギガビット（16GB）の2ビット/セル（MLC）3次元フラッシュメモリ。従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べるNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向に積み上げる構造で素子密度を向上させている。現行製品との比較で、書き込み速度の高速化や、書き換え寿命などの信頼性向上を実現。同社では、今後もフラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していく予定であることを発表している。
